Basics of VLSI Design 7
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关于 Basics of VLSI Design
该应用程序是一个完整的免费手册VLSI与图表。它是电子与通信工程教育的一部分，它带来了重要的主题，笔记，新闻和博客的主题。下载应用程序作为快速参考指南和电子书关于这个电子和通信工程主题。 该应用程序详细涵盖了 90 多个 VLSI 设计主题。这些主题分为 5 个单位。 您可以轻松地通过考试或面试成功，该应用程序提供快速修订和参考的主题，如详细的闪存卡。 每个主题都配有图表、方程和其他形式的图形表示形式，便于理解。此应用程序涵盖的一些主题包括： 1. 半导体记忆：简介和类型 2. 只读内存 （ROM） 3. 三个晶体管 DRAM 电池 4. 一个晶体管 DRAM 电池 5. 闪存 6. 低功耗 CMOS 逻辑电路：介绍 7. CMOS逆变器的设计 8. MOS逆变器：开关特性介绍 9. 基于扫描的技术 10. 内置自检技术 11. VLSI设计的历史前景：摩尔定律 12. CMOS数字电路类型的分类 13. 电路设计示例 14. VLSI设计方法 15. VLSI 设计流程 16. 设计层次结构 17. 规律性、模块化和地方性的概念 18. CMOS 制造 19. 制造工艺流程：基本步骤 20. 制造nMOS晶体管 21. CMOS制造：p-井工艺 22. CMOS制造：n-井工艺 23. CMOS制造：双管工艺 24. 贴图和蒙版布局设计 25. MOS晶体管：物理结构 26. 外部偏置下的MOS系统 27. MOSFET的结构和运作 28. 阈值电压 29. MOSFET的电流电压特性 30. 摩斯费缩放 31. 缩放的影响 32. 小几何效果 33. MOS 电容 34. MOS逆变器 35. MOS逆变器的电压传输特性（VTC） 36. 带 n 型 MOSFET 负载的逆变器 37. 电阻负载逆变器 38. 损耗负载逆变器的设计 39. CMOS逆变器 40. 延迟时间定义 41. 延迟时间的计算 42. 带延迟约束的逆变器设计：示例 43. 组合MOS逻辑电路：介绍 44. 具有损耗 nMOS 负载的 MOS 逻辑电路：双输入 NOR 门 45. 具有损耗 nMOS 负载的 MOS 逻辑电路：具有多个输入的通用 NOR 结构 46. 带损耗 nMOS 负载的 MOS 逻辑电路：NOR 门的瞬态分析 47. 带损耗 nMOS 负载的 MOS 逻辑电路：双输入 NAND 门 48. 具有损耗 nMOS 负载的 MOS 逻辑电路：具有多个输入的通用 NAND 结构 49. 带损耗 nMOS 负载的 MOS 逻辑电路：NAND 门的瞬态分析 50. CMOS 逻辑电路 ：NOR2 （两个输入 NOR） 门 51. CMOS NAND2（两个输入 NAND）门 52. 简单CMOS逻辑门的布局 53. 复杂逻辑电路 54. 复杂的CMOS逻辑门 55. 复杂CMOS逻辑门的布局 56. AOI和AI盖茨 57. 伪 nMOS 盖茨 58. CMOS 全加子电路和携带纹波加子 59. CMOS 传输门（通通门） 60. 互补通晶体管逻辑 61. 顺序MOS逻辑电路：简介 62. 双桌元素的行为 63. SR 锁紧电路 64. 时钟 SR 锁紧 65. 时钟 JK 锁扣 66. 主奴隶翻转 67. CMOS D-锁扣和边缘触发翻转 68. 动态逻辑电路： 简介 69. 通过晶体管电路的基本原则